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关于“死灯”，首要咱们应断定LED是短路仍是开路，如果是开路，咱们一般会考虑LED灯内部的焊线是否断开。LED灯内部的焊线断开，导致LED没有供电电压，这是LED死灯的常见原因之一。焊线常见的断开方位有5个当地，如图1所示A、B、C、D、E点：
A点：芯片电极与金球结合处；
B点：金球与金线结合处即球颈处；
C点：焊线线弧地点规模；
D点：支架二焊点与金线结合处；
E点：支架二焊点与支架镀层结合处。
运用光学显微镜和电子扫描显微镜(SEM)对样品进行截面剖析或溶胶后能够查看焊线开裂的方位，有助于进一步的原因剖析。以下为咱们供给的事例，焊线开裂的方位以及开裂的原因都不相同。
失效灯珠型号为5730。灯珠是经过100循环冷热冲击实验后呈现死灯的。对失效样品进行截面剖析后，发现失效样品之一焊点和*二焊点方位周围的硅胶有爆裂，*二焊点D点现已断开。
因为硅胶和金线的热胀大系数差异较大，在经过100循环冷热冲击实验后，硅胶与金线在不断地胀大又缩短，而金线焊点折弯处就是应力会集点，故简单形成焊点周围的硅胶爆裂，硅胶的开裂则导致焊线*二焊点弱处D点断开，终究样品呈现死灯。
失效灯珠型号为仿流明灯珠批灯珠在灯具上运用一段时间后呈现死灯，点亮时灯具上每颗灯珠分配的电流大约为500mA。首要，咱们对其间一些失效样品进行溶胶后查看发现，一切失效的灯珠都是4个之一焊点开裂，而4个*二焊点都坚持无缺，如图5～图8所示。
然后，咱们又对失效样品进行截面剖析，发现芯片正上方的硅胶呈现爆裂，如图9和图10所示，其他区域的硅胶无缺。
因为呈现开裂的4个之一焊点都是会集在芯片上方，坚持无缺的4个*二焊点是在支架上。阐明很或许是芯片上方的硅胶爆裂形成4个之一焊点的断开，并且硅胶爆裂的方位首要会集在芯片，也便是热源的正上方。
别的，灯珠点亮时电流较大(500mA)，可估测是芯片过热形成芯片上方的硅胶爆裂。仔细查看灯珠散热途径，发现灯珠芯片过热很或许与灯珠底部热沉选用导热硅脂与PCB板贴合有关，关于这种大功率的灯珠导热硅脂散热作用不够好。
关于一些选用笔直芯片的LED灯珠来说，固晶层底部与支架镀层剥离是比较常见的死灯原因。
失效样品为直插式的LED灯珠，运用进程中呈现死灯，不良率为1.5%。咱们对失效样品进行截面查看后发现，金线焊点均坚持无缺，如图11～图13所示。但发现固晶层与支架镀层彻底剥离，并且封装胶与支架杯壁也呈现剥离，如图14所示。
由以上观察到的现象能够断定，形成灯珠死灯的原因是封装胶水与支架界面间呈现剥离现象，剥离程度和区域跟着运用进程加重而扩展，进一步形成固晶胶与支架剥离，终究导致样品呈现死灯。也或许是封装胶水粘接性不良形成封装胶水与支架界面间呈现分层。
有些状况下，灯珠死灯纷歧定是灯珠自身的问题，也有或许是运用的电源供电引起的。

LED驱动电路除了要满意安全要求外,别的的基本功用应有两个方面：
一是尽可能坚持恒流特性,尤其在电源电压发作±15%的改变时,仍应能坚持输出电流在±10%的规模内改变.首要原因是: 1、防止驱动电流**出额外值,影响其可靠性. 2、取得预期的亮度要求,并确保各个LED亮度、色度的一致性。
二是驱动电路应坚持较低的本身功耗,这样才干使LED的体系功率坚持在较高水准。
8直流操控

01、低热阻优势
传统SMD封装的体系热阻结构为：芯片-固晶胶-焊点-锡膏-铜箔-绝缘层-铝材。COB封装的体系热阻为：芯片-固晶胶-铝材。COB封装的体系热阻要远低于传统SMD封装的体系热阻，因而COB 封装的LED灯具使用寿命大大提高。

LED是由电流驱动的器材，其亮度与正向电流呈比例联系。有两种办法能够操控正向电流。
之一种办法是选用LED V-I曲线来断定发作预期正向电流所需求向LED施加的电压。其完成办法一般选用一个电压电源和一个镇流电阻器。如下所述，此办法有 多项不足之处。LED正向电压的任何改动都会导致LED电流的改动。假如额外正向电压为3.6V，则图1中LED的电流为20mA。假如电压变为 4.0V，这是温度或制作改动引起的特定压变，那么正向电流则下降到14mA。正向电压改动11%会导致更大的正向电流改动，达30%。别的，依据可用的 输入电压，镇流电阻的压降和功耗会糟蹋功率和下降电池运用寿数。
*二种办法、也是的LED电流调整办法是运用恒流电源来驱动LED。